真空爐
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支架
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產品描述
參數
金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)
金屬有機物化學氣相沉積(簡稱MOCVD)是技術生長III-V族，II-VI族化合物及合金的薄層單晶的主要方法。用氫氣或氮氣作為載氣，通入液體中攜帶出蒸汽，與V族的氫化物(如NH3、PH3、AsH3)混合，通入反應室，在加熱的襯底表面發生反應，外延生長化合物晶體薄膜。
LED的發光核心是一種稱為外延片(Epitaxial Slice)的復合材料，由于Mocvd技術在外延片上的成功運用，使得此種設備使用量迅速增加。
由于MOCVD設備工作時工作溫度高于2000℃，鎢鉬也是該設備部分組件的首選材料。
關鍵詞:
支架
mocvd
設備
外延
沉積
技術
化合物
金屬
生長
反應
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